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随着器件结构尺寸的缩小，在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难．包括掺杂硅损失，低一南电介质艮值的变化，金属栅极腐蚀，图形倒塌等等。在32nm及以下节点，所有这些，将会更加严峻。因而，需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。