RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究

来源 :贵州大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lizhiguo518

【摘要】

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采用带有RHEED的MBE技术，在GaAs（001）单晶衬底上生长不同厚度（0ML，4ML，15ML）的In0.53Ga0.47As外延层，实时监测RHEED衍射图像的演变过程，生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析，研究分

【作者】

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王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召

【机构】

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贵州大学理学院,贵州财经学院教育管理学院,贵州师范大学物理与电子科学学院

【出处】

：

贵州大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2013年2期

【关键词】

：

RHEED STM 平坦粗糙 RHEED STM flat rough

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采用带有RHEED的MBE技术，在GaAs（001）单晶衬底上生长不同厚度（0ML，4ML，15ML）的In0.53Ga0.47As外延层，实时监测RHEED衍射图像的演变过程，生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析，研究分析结果表明，随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚，RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂，最后进入完全的网格状斑点状态；与此同时，对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高，最后表面完全由3D岛构成，表面进

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