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利用简便的粉末反射光谱法,测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱,并对其影响机理进行了探讨.研究结果表明,同纯ZnO相比,压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移,红移量随烧结温度的提高而增大;吸收边斜率随着烧结温度升高而变小.吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果.高温烧结的试样在波长为566 nm、610 nm、650 nm处存在光反射谷,反射强度随烧结温度升高而降低.烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因,缺陷类型与温度变化无关,浓度随烧结温度的升高而增大