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针对红外光学系统的电磁屏蔽问题，利用射频磁控溅射法在蓝宝石基底上制备了在中红外波段具有高透过率的氧化铟锡（In2O3:Sn,ITO）导电薄膜，主要研究了溅射功率、沉积温度和氧气流量等沉积参数对薄膜载流子迁移率和载流子浓度的影响，并对参数进行了优化，获得了最大的迁移率，在不影响薄膜电学性能的基础上提高了薄膜的中红外光学透过率。所制得的薄膜霍尔迁移率为20cm2V-1s-1，载流子浓度为4.99×1020cm-3，方块电阻为61.2/sq，在3.05.0m波段的平均透过率为60.81%。结果表明，I