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用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别，结果显示，4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别，计算表明，这对应于其自身的带隙宽度．同时从吸收谱上还可以看到非故意掺杂引入的载流子引起吸收边的偏移．分析了不同掺杂类型对吸收边的影响．
光吸收谱法鉴别碳化硅晶体的多型体结构
【摘 要】
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用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别，结果显示，4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别，计算表明，这对应于其自身的带隙宽度．同时从吸
【机 构】
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淮阴师范学院物理系
【出 处】
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淮阴师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2008年3期
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