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用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了ρ型（Bi0.2 Sb0.8）2Te3和n型Bi2（Te0.975 Se0.025）3多晶半导体合金，研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明，室温下，ρ型（Bi0.2Sb0.8）2Te3材料的热电优值Z为3．25×10^-3K^-1，n型Bi2（Te0.975 Se0.025）3材料的热电优值Z为2．21×10^-3K^-1。