长波长、高灵敏度的InP/InGaAs谐振腔光电探测器

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本文报道了一种能够实现高速、高灵敏度的InP基谐振腔增强型(RCE)光电探测器.它采用衬底入光方式,解决了在InP衬底上外延生长的InP/InGaAsP介质膜分布布拉格反射镜(DBR)反射率低的问题,该探测器的吸收层厚度为0.2 μm,在波长1.583 μm处获得了80 %的峰值量子效率.同时为了降低探测器的固有电容,利用质子注入技术使得器件的部分电极绝缘,实验结果表明质子注入不影响RCE光电探测器的量子效率.
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