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自旋零能隙半导体是一类具有接近100%的高自旋极化率，同时与工业半导体具有良好兼容特性的新型自旋电子学材料，在自旋注入、自旋晶体管中具有潜在应用前景。从理论计算的电子结构，结合实验的磁性、输运性质能方面对包括Hg2CuTi型，LiMgPdSn四元等比型的Heusler自旋零能隙半导体及其研究进展进行了概述。阐明了Heusler合金中自旋零能隙半导体形成的机制和经验规律，揭示出原子有序、组分调制对自旋零能隙半导体性质的影响。通过对基于Heusler自旋零能隙半导体的自旋注入体系的构建，展望了自旋零能隙半导体