【摘 要】
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针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体（CMOS）器件,开展了1080nm 连续激光与1064nm 单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑
【机 构】
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国防科学技术大学光电科学与工程学院
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针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体（CMOS）器件,开展了1080nm 连续激光与1064nm 单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤三个典型的硬损伤阶段,并分析了损伤机理.在连续激光辐照下,损伤效应主要是热效应的影响.当辐照时间小于稳态时间时,辐照时间越长,损伤阈值越低,当辐照时间大于稳态时间时,损伤阈值趋于稳定值.对损伤后的CMOS器件的微观结构进行了显微观察,结合CMOS电路结构深入分析了各种典型实验现象的损伤机理,半边黑线损伤与十字交叉
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