【摘 要】
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该文从理论分析与建模计算2个方面研究电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响.首先,从理论上分析电极结构对IGBT芯片和FRD芯片的并联均流特性的影响机
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区,102206;全球能源互联网研究院,北京市昌平区,102209
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该文从理论分析与建模计算2个方面研究电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响.首先,从理论上分析电极结构对IGBT芯片和FRD芯片的并联均流特性的影响机理,并比较主动和被动均流模式下影响机理的差异.进而详细对比分析了时域等效电路方法与频域有限元方法的特点与优势.最后,在被动注入模式下计算4种典型结构下器件内部的动态均流特性.计算结果表明:发射极电极圆周化布置,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性.但是当器件连接外部不对称汇流母排后,该布置方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽,在对称或者不对称的外部电磁条件下,都能对器件内部的动态均流特性加以改善.
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