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日前，韩国三星电子表示，采用70纳米工艺1Gb级OneNand闪存将正式量产，首度以外部储存卡的形式问市。70纳米工艺的OneNand，读取速度可达每秒108MB，相较于现有90纳米工艺的每秒68MB，数据处理速度快了60％，产能可提高70％以上。三星电子预计2008年OneNand的市场规模将达10亿美元，2015年则可突破15亿美元。