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以六甲基二硅胺烷（HMDS）作为硅源和碳源，H2为载气，Ar为稀释气体，前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室，通过等温化学气相渗透法（Isothermal Chemical Vapor Infiltration,ICVI）在SiC纤维表面沉积SiC涂层。通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度。研究表明，在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出，适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集，在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系。