【摘 要】
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介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参数缩放数学方程。建立的可缩放模型在商用仿
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,
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介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参数缩放数学方程。建立的可缩放模型在商用仿真器中进行了仿真验证,模型仿真结果与测试数据有很好的吻合。
A flow of a high-speed SiGe heterojunction bipolar scalable model based on the HICUM model is introduced. Based on the test data of a batch of transistors with different physical design dimensions, a mathematical equation for scaling the HICUM model parameters is established. The established scalable model is validated in a commercial simulator, and the model simulation results are in good agreement with the test data.
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