【摘 要】
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介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料开放实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所材料开放实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所材料开放实验室!北京100083
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介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。
The experimental results of the strain distribution in the GexSi1-xSi chemical gradient layer by the combination of the convergent beam electron diffraction (CBED) technique and the computer simulation are introduced. The method provides a high spatial resolution and high sensitivity, and is applicable to any material system Determination of lattice constant and study of strain distribution in the area.
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