【摘 要】
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在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～
【机 构】
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长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技术研究所,长春理工大学光电子技
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在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层 ,提高了MCP对能量 35～ 5 0keVX射线的探测能力。实验结果表明 :变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时 ,其输出响应可提高 5～ 6倍 ,较无膜MCP提高 1～ 2个数量级 ,和CsBr、KBr相比较 ,以CsI的响应特性为最佳 ;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素。最后指出了这种反射式CsI/MCP薄膜的应用前景
A reflection-type X-ray sensitive film is fabricated on the inner wall of the MCP input channel to improve the detection capability of the MCP for 35-500 keV X-rays. The experimental results show that CsI / MCP with variable density structure can produce 5 ~ 6 times more output response and 1 to 2 orders of magnitude more increase than that without film MCP, compared with CsBr and KBr, CsI Response characteristics are the best; film material, structure, technology and X-ray energy are the main factors that affect the detection capability. Finally, the application prospects of this reflective Cs / MCP film are pointed out
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