用在线椭偏仪研究非晶碳氢膜沉积和刻蚀过程

来源 :核聚变与等离子体物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mtv138
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利用在线椭偏仪对非晶碳氢膜进行了光学常数、沉积率和刻蚀率的测量。在无直流负偏压或偏压较小时,薄膜呈现聚合物结构,折射率和消光系数较小;当增加直流负偏压时,薄膜的折射率和消光系数显著提高,所成膜为硬质非晶碳氢膜。在以CH4作为气源进行沉积时,随着偏压的增加,沉积率先升高再降低,在偏压为-100V时,沉积率为最大。H2/N2(30%N2)的混合气体的刻蚀率要比单独用H2作为刻蚀气体的刻蚀率要大。对于CH4/N2(30%N2),在偏压从OV增加到300V过程中,在大约50V时,基底上的薄膜有一个从沉积到刻蚀的转
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