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在密度泛函理论框架下，采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明：具有氧缺陷结构表面的催化活性较高，有利于NO键的削弱；当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时，NO键将进一步削弱，直致断裂，并伴有N2O产生，这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出，底物电子向NO转移，并填充到NO的π^*反键轨道上，从而导致NO键的削弱，并形成NO^-。这也是可能导致形成NO^-的原因。研究还表明，具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化