电沉积制备CIS太阳能电池吸收层材料

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在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In,再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)对制备的薄膜进行相组成、微观结构、表面形貌等分析,研究了制备工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明:电沉积的In在低温热处理阶段与衬底Cu扩散形成Cu—In合金预制层,预制层在硒化阶段生成CulnSe2,合金中过量Cu生成CuSe表面层,未反应的In转变为Cu36In9,形成Cu衬底/Cu16In9/CuInSe2/CuSe结构。
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