【摘 要】
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英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比，SuperS08
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英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比，SuperS08封装可使功率密度增大50％。采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与D^2-Pak封装相同的导通电阻。
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