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传统晶硅材料太阳电池所发生的电势诱导衰减现象受可动电荷Na+在硅表面聚积的影响，对发生电势诱导衰减现象的太阳电池的漏电区域和非漏电区域分别采用双电荷层导致p-n结导通的假说和扩展的肖克莱-里德-霍尔复合模型进行了研究。结果表明，组件效率受可动电荷Na+的影响且和被SiN的场钝化作用所屏蔽的隐性缺陷之间的关系密切。通过增强界面的钝化效果，阻止Na+与界面处的隐性缺陷相结合等措施，有利于抗电势诱导衰减组件的制备。