CMOS多频带低噪声放大器设计

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提出了一种多频带低噪声放大器的设计方法,可用于集成多个频段于一部终端的通讯设备.它不同于以往的电路结构,而是由共栅极作为输入,与一个共源极MOS管构成两级放大器,并通过使用2bit的控制信号控制电路中的MOS开关,以调节电路工作在900MHz、1.7GHz和2.4GHz等三个不同的频带.电路使用先进的90nm工艺库进行仿真,结果显示各频带的增益均大于16dB,噪声系数小于1.7dB,三阶交调点IIP3和1dB增益压缩点分别大于-2.5dBm和-15.5dBm,电路同时具备了扩展并包含更多频带的能力.
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