【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼（c-BN）薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱（Raman）及原子力显微镜（AFM）进行表征。采用傅立叶变换红外光谱（FTIR）研究了不同
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,复旦大学物理系
【基金项目】
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上海市教育委员会优秀青年基金（No.006AZ008）,国家自然科学基金（No.60577040,60877017）
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采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼（c-BN）薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱（Raman）及原子力显微镜（AFM）进行表征。采用傅立叶变换红外光谱（FTIR）研究了不同沉积温度对c-BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c-BN不存在温度阈值,室温下生长的c-BN含量可达70%以上。当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低。此外,随着沉积温度的降低,c-BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c-BN薄
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