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用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500 W、自偏压为150 V、流量为50 cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0.80 μm/min.