【摘 要】
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基于杂质漂移机理, 分析了忆阻器的导电过程, 为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况, 提出了一种改进的窗函数模型. 基于 MATLAB 软件工具研究了忆阻器的伏安特性
【基金项目】
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国家自然科学及河南人才培养联合基金资助项目（U1204506）
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基于杂质漂移机理, 分析了忆阻器的导电过程, 为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况, 提出了一种改进的窗函数模型. 基于 MATLAB 软件工具研究了忆阻器的伏安特性, 进而分别研究了传统窗函数和改进窗函数模型下的滞回特性, 通过仿真对比分析结果表明： 改进的忆阻器模型不仅具有可调性和高灵活性, 还解决了 “边界锁死” 问题; 忆阻器的滞回曲线呈现出明显的优越性; 在频率允许范围内, 忆阻器的伏安特性会随着频率的增大而缩减, 当频率趋于无穷大时, 呈现出一条直线, 则表现出普通电阻元件特性.
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