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用不同温度的AIN缓冲层在Si（111）衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜（SEM）和高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）的分析，研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响，分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明：缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。较低温度下的AIN缓冲层，在衬底表面形成的成核颗粒因温度太低，无法运动到相邻的颗粒而结合成大的成核颗粒，因此成核密度高，成核尺寸小；高温生长的AIN缓冲层，成核颗粒有足够的能量运