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＜正＞ 1 引言 最近报导了一种简单的四层GaAs—AlxGa1-xAs器件,这是第一次单片集成的,有三个必备元件的光学回路。这个回路由砷化镓双异质结（DH）激光器、无源波导和外腔探测器组成,制作技术是简单的,只需一次掩膜和二次选择腐蚀过程。制成的器件效率高:其激光器的腔体由一个腐蚀镜面和一个解理面组成,总的微分传输效率（在以下第Ⅱ节中下定义）达10％,它包括了所有的损耗。本文报导了这个器件性能的显著进步。现在,由一个腐