【摘 要】
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文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构，也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域，提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求
【机 构】
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南京电子器件研究所,中国电子科技集团公司第58研究所
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文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构，也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域，提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求，通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数，消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响，消除了过渡区对厚度均匀性的影响，也较好地控制了外延层中的结构缺陷和表面形貌，研制出了符合功率器件的大尺寸外延材料。同时，详细研究了硅外延材料参数与VDMOS功率器件电性能参数之间的对应关系，为功率器件的发展和普及奠定了基础。
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