【摘 要】
：
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声
【机 构】
：
北京航空航天大学,中国科学院半导体研究所
论文部分内容阅读
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra 2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2～3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求.
其他文献
系统回顾目前临床分娩过程中采用的保护会阴的方法,广泛查阅相关文献资料,显示接产过程中保护会阴有多种方法,综合运用比传统方法能达到更好效果,会阴切开要严格掌握指征,选
目的 探讨高血压伴有糖尿病患者的临床降压治疗.方法 临床观察高血压伴糖尿病患者120例,明确诊断,排除影响因素,控制饮食,行适度锻炼和控制体重的基础治疗上,给予肾素血管紧
目的 探讨耳内镜在慢性化脓性中耳炎手术中的应用.方法 选取我院2007年5月～2013年2月收治的80例慢性化脓性中耳炎患者的临床资料进行回顾性分析,行耳内镜下手术.结果 本组80例
介绍了自行研制的环境试验中大气腐蚀电化学测定装置 ,包括Kelvin大气腐蚀测定仪的工作原理 ,功能用途 ,软硬件结构及初步测试结果。自行研制的Kelvin大气腐蚀测定仪采用振动
在Kelvin-Voigt模型的基础上建立了考虑土体孔隙比的非线性本构关系，并给出了计算方法。计算表明，考虑结构性（孔隙比）因素后，初始孔隙比对应变-时间关系曲线存在影响；在处理岩土力
乡镇农民文化程度比较低,生产方式落后,农业产业化不能与时俱进.本文针对乡镇农业产业化发展中存在的诸多问题,进行了深入浅出地分析,最后给出了应对的策略.供同行参考.
充分考虑了太赫兹光非对称解复用器 (TOAD)中半导体光放大器 (SOA)的增益饱和与恢复的影响 ,深入分析研究了小信号增益及环时间非对称性对TOAD开关特性的影响 .结果表明 :小
提出了利用ＴａｋａｇｉＳｕｇｅｎｏ（简称ＴＳ）模糊方法建立镍闪速熔炼过程动态质量模型的方法（即考虑过去与当前的输入、输出信息对将来输出的影响），并对其动态过程进行了结构辨识和模型参数辨识．在此基础
柔性生产线平均生产时间的确定是企业确定生产存储量的重要依据·在串行柔性生产线平均生产时间确定方法的基础上 ,提出了基于合并原则的柔性装配生产线平均生产时间的确定方
存储器管理部件 MMU( memory managementunit)的速度直接影响微处理器的性能 ,提高存储器管理部件的速度是本文的设计目标。文中提出了存储器管理部件 MMU设计方法 ,论述了虚