【摘 要】
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以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液（pH=2.5）作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极（SCE）为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学材料科学与工程学院
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以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液（pH=2.5）作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极（SCE）为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜。然后对GaAs薄膜进行退火处理。利用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）,以及荧光光度计（PL）分别对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构,薄膜形貌以及光学性能进行分析表征。结果表明：沉积电压以及退火过程对GaAs薄膜的形貌、晶体结构、薄膜质量有很大影响,所制备的GaAs薄膜退火前晶化程度较低,部分粒子表现出
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