【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋（Bi1.5MgNb1.5O7,BMN）薄膜。通过X线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行
【机 构】
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南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室
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采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋（Bi1.5MgNb1.5O7,BMN）薄膜。通过X线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明：经过700℃O2气氛下退火处理,BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构。当Ar/O2流速比为2∶1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的介电常数、低的介电损耗（1 MHz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和0.4%）,并且在0.8 MV/cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为
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