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在现代半导体制造工艺体系之中,外延工艺是一种应用范围极广的工艺,硅片的最底层一般为衬底硅,衬底部位的物质生长之后,会形成一种新型单晶硅,技术人员将其称为外延层,根据制造工艺的需求,技术人员还会将发射区以及基区添加到外延层部位.本文借助实验来对实现均匀调控外延层的方法案进行分析,实验对象主要是平板式的新型外延炉.