【摘 要】
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提出一种皮瓦级、超低功耗的新型基准电压源.该电路利用工作在亚阈值区的不同类型MOS管的栅源电压差,获得在不同工艺角下均有良好温度特性的基准电压.同时,加入校准电路来减
【机 构】
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郑州大学信息工程学院,郑州,450001
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提出一种皮瓦级、超低功耗的新型基准电压源.该电路利用工作在亚阈值区的不同类型MOS管的栅源电压差,获得在不同工艺角下均有良好温度特性的基准电压.同时,加入校准电路来减小工艺偏差对基准电压的影响.采用0.18 μm CMOS工艺,对电路进行设计和仿真.仿真结果表明,该基准电压源的工作电压范围为0.6～2 V,线性灵敏度为0.13 ％/V;在TT工艺角、0.6V电源电压下,电路典型功耗为130 pW;在-40℃～110℃范围内,校准后,温度系数范围为2.04×10-5/℃～9.38×10-5/℃.该电路适用于射频识别、无线传感器、医用植入式芯片等超低功耗片上系统中.
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