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亚微米自对准硅化物工艺开发
亚微米自对准硅化物工艺开发
来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wenxiaoyan0411
【摘 要】
:
文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述.文中以实际生产为目标,以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RT
【作 者】
:
刘允
陈海峰
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第58研究所
【出 处】
:
电子与封装
【发表日期】
:
2006年3期
【关键词】
:
自对准硅化物
硅化物桥
电阻率
转移曲线
RTP退火
Salicide Silicide Bridge Resistivity Transformation
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文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述.文中以实际生产为目标,以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准.
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