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在有限周期的一维光子晶体中引入铁电液晶作为缺陷层。然后在液晶层两侧加上外电场，调节外电场的电压大小，来改变铁电液晶分子取向，进而影响一维光子晶体的能带结构。用传输矩阵法对一维光子晶体的能带结构及其液晶缺陷对能带结构的影响进行了研究，发现铁电液晶缺陷在外界电压的作用下对光子晶体的能带结构有十分明显的影响。用计算机语言Matlab进行了数值模拟，对得到的结果进行了理论分析。