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基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在掺杂ｎ型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备的纳米结构的一些规律。
利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构
【摘 要】
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基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在掺杂ｎ型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形，最小的纳米结构约１５ｎｍ，并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备的纳米结构的一些规律。
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家攀登计划B,国家自然科学基金
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