【摘 要】
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在不对称双量子点系统内,基于半导体量子相干效应对电压隧穿诱导光栅进行了研究。利用该系统内的电压隧穿效应,可以在两个不同的探测失谐位置处同时诱导出电磁感应透明,在此基础上通过调节相关参数改变吸收性质,弱吸收条件下的相位光栅强度尤其是一阶衍射强度在特定探测失谐位置处得到了增强。研究了隧穿电压、泵浦场强度、相互作用长度等参数对相位光栅效率的影响,结果显示,当同时增加泵浦场强度及电压隧穿率时,相位光栅的一阶衍射效率提高了50%左右。研究结果在量子信息处理、量子网络及光学成像等领域有潜在的应用价值。
【机 构】
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上海出版印刷高等专科学校信息与智能工程系,上海200093山东科技大学电气与自动化工程学院,山东青岛266590
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在不对称双量子点系统内,基于半导体量子相干效应对电压隧穿诱导光栅进行了研究。利用该系统内的电压隧穿效应,可以在两个不同的探测失谐位置处同时诱导出电磁感应透明,在此基础上通过调节相关参数改变吸收性质,弱吸收条件下的相位光栅强度尤其是一阶衍射强度在特定探测失谐位置处得到了增强。研究了隧穿电压、泵浦场强度、相互作用长度等参数对相位光栅效率的影响,结果显示,当同时增加泵浦场强度及电压隧穿率时,相位光栅的一阶衍射效率提高了50%左右。研究结果在量子信息处理、量子网络及光学成像等领域有潜在的应用价值。
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