【摘 要】
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在1.0μm像素CIS制造工艺中有深宽比超过7:1的光刻层,该层次的用途是像素区的光电二极管的N阱的形成。随着像素尺寸缩小,光刻胶加厚,光刻胶的形貌对像素注入工艺有非常大的影响,同时光刻胶形貌的微小波动也会对像素性能造成较大影响,研究中采用了两种不同的光刻胶,分析光刻胶形貌对像素电学参数的影响,并通过优化工艺,得到了适合量产的工艺参数。
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在1.0μm像素CIS制造工艺中有深宽比超过7:1的光刻层,该层次的用途是像素区的光电二极管的N阱的形成。随着像素尺寸缩小,光刻胶加厚,光刻胶的形貌对像素注入工艺有非常大的影响,同时光刻胶形貌的微小波动也会对像素性能造成较大影响,研究中采用了两种不同的光刻胶,分析光刻胶形貌对像素电学参数的影响,并通过优化工艺,得到了适合量产的工艺参数。
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