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采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜，并研究了Ni掺杂对CusN的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现：Ni的加入使得CmN薄膜的（111）晶面向小角度偏移；随着Ni含量的增加，Cu3N薄膜的电阻率从1450×1016Ω·cm减小到184×10-6Ω·cm，光学能隙从1．09eV增加到1．52eV。