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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续(500 μs,100 Hz)输出功率达到80 W(室温),峰值波长为939～941 nm.
940nm列阵窗口半导体激光器
【摘 要】
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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器,准连续
【机 构】
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长春光学精密机械学院,长春光学精密机械学院,长春光学精密机械学院
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2001年8期
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