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用射频交流溅射法制备了具有不同层厚的FeSi/Cu多层膜系列样品。通过铁磁共振谱测量发现:当Cu层厚度(dCu)小于15A时,FeSi层间发生交换耦合。室温饱和磁化强度测量发现:dCu<15A,磁化强度随dCu减小而明显下降。磁光克尔谱测量则表明:dCu<15A时,谱线出现异常。将上述三个结果进行综合分析提出如下模型:dCu<15A,Cu层中传导电子被反向极化,并通过RKKY相互作用使FeSi层间