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利用侧墙图形转移实现亚0．1μm栅线条，重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS晶体管超浅源漏扩展区，并且将二者有机结合起来，成功实现了栅长约为84．6nm的CMOS器件和电路，报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现CMOS源漏扩展区的方法。
亚0．1μm栅长CMOS器件和电路的研制
【摘 要】
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利用侧墙图形转移实现亚0．1μm栅线条，重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS晶体管超浅源漏扩展区，并且将二者有机结合起来，成功实现了栅长约为84．6nm的CMOS器件和电路，报道了利用重掺
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年5期
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