【摘 要】
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运用传输矩阵法研究了在一维光子晶体中插入缺陷层的透光特性。在无缺陷层的一维光子晶体中能产生467～510 nm、1 279～1 715 nm两处明显的光子带隙。重点研究了插入缺陷层后,在1
【机 构】
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中北大学理学院物理系,中北大学微米纳米技术研究中心,中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子测试国家重点实验室,中北大学山西省光电信息与仪器工程技术研究中心
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运用传输矩阵法研究了在一维光子晶体中插入缺陷层的透光特性。在无缺陷层的一维光子晶体中能产生467～510 nm、1 279～1 715 nm两处明显的光子带隙。重点研究了插入缺陷层后,在1 279～1 715 nm的光子带隙中缺陷层厚度和入射角度大小分别与透射光谱变化的关系。研究发现:缺陷模的位置对入射角变化很敏感;出现缺陷模的数量和插入缺陷层的数量相同;一维光子晶体厚度的增大不会改变缺陷模的数量和位置,只改变透射峰的宽度和透射率。
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