【摘 要】
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据《国际半导体》（美）1994年第4期报道，以色列Jerusalenl的Hebrew大学业已研制成功ODON（OxidationofDepositedOxideonNitridedSiliconSurface）新型栅介质．这种不需要高温快速热处理
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据《国际半导体》（美）1994年第4期报道，以色列Jerusalenl的Hebrew大学业已研制成功ODON（OxidationofDepositedOxideonNitridedSiliconSurface）新型栅介质．这种不需要高温快速热处理工艺的介质采用桂圆片在氨气中热氧化，接着高温氧化（H＊0）淀积，并在氧气氛中退火而形
According to International Semiconductor (USA) No. 4, 1994, Hebrew University in Jerusalenl, Israel, has successfully developed a novel ODON (Oxidation of Deposited Oxide Nitrided Silicon Surface) gate dielectric. The medium, which does not require a high-temperature rapid thermal process, is thermally oxidized with ammonia wafer in a long-grain wafer followed by high temperature oxidation (H * O) deposition and annealing in an oxygen atmosphere
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