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飞思卡尔半导体日前推出一款RFLDMOS功率管.工作频率为1.8至600MHz,最适于在C02激光器、等离子体发生器和磁共振成像(MRI)扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50VLDMOS晶体管,在电压驻波比(VSWR)为65:1的负载中提供300WCW的全额定输出功率。