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MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。
MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究
【摘 要】
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MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。
【机 构】
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西安工业大学光电微细统研究所
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2013年4X期
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