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绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有寄生晶闸管。当电流密度超过某个特定的电流密度时可能会发生闭锁。为了增加闩锁电流密度，提出了一种在P基极上具有浮动SiO2掺杂埋层的新型IGBT。通过浮置的SiO2掺杂埋层，使N+发射极下面流动的空穴电流显着减小。因此，触发寄生晶闸管闩锁所需的电流密度增加。数值仿真结果表明，与传统的IGBT相比，在不影响输出和开关特性的情况下，所提出的IGBT可以将闩锁电流密度提高100％以上。