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taC：N膜是一种具有潜力的半导体电极材料，但该电极制作中存在基底硅片与导线间的欧姆接触问题．根据高温处理对taC：N膜性质的影响，本文先在硅片上制作欧姆接触，再沉积taC：N膜，并由此得到了一批具有不同含氮量的taC：N电极．循环伏安测试表明，膜中氮含量的增加只使阴极背景极限正移，而对阳极背景极限几乎没有影响，电化学窗口也因此而变窄．