【摘 要】
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设计了一款基于氧化钨的8Mb高密度阻变存储器,采用单晶体管开关、单电阻(1T1R)的存储器单元结构,设计了完整的存储单元、行列译码器、写驱动和灵敏放大器等关键模块。存储器
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设计了一款基于氧化钨的8Mb高密度阻变存储器,采用单晶体管开关、单电阻(1T1R)的存储器单元结构,设计了完整的存储单元、行列译码器、写驱动和灵敏放大器等关键模块。存储器芯片采用HHNEC 0.13μm 1P8M CMOS工艺流片。仿真结果表明,在8F2的高密度存储单元面积下,该存储器可实现准确的数据写入和读出功能。
A 8Mb high resistivity resistive memory based on tungsten oxide is designed. The key modules of memory cell, column decoder, write driver and sense amplifier are designed with single transistor switch and single resistor (1T1R) memory cell structure . The memory chip uses HHNEC 0.13μm 1P8M CMOS process chip. Simulation results show that the 8F2 high-density memory cell area, the memory can achieve accurate data write and read functions.
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