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研究了电子束蒸发的掺过渡金属Co的非晶硅基薄膜α-Si1-xCox的光吸收特性，结果表明，这类薄膜的组分变化，对近红外长波的吸收特性影响灵敏，0．10at%<x<2.00at%的组分变化区，是薄膜光吸收特性变化的灵敏区，在研究的组分范围内，薄膜的光学带隙随组分的增大而变窄，而．50eV减小到1．28eV，实验结果用Cody等人建立的有关a-Si的无序理论进行了分析讨论。