【摘 要】
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从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．
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【机 构】
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从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．
Based on the Boltzmann equation, the change of carrier temperature, diffusion coefficient and other parameters in SiGe HBT ultrathin base region are analyzed. A new SiGe HBT current transfer model is established, which is different from the conventional base region width.
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